Infineon startet 90-nm-Massenproduktion

Infineon hat am Donnerstag mit der Serienfertigung von DRAMs mit 90-nm-Prozessstrukturen auf 300-mm-Wafern im Halbleiterwerk in Dresden begonnen. Die 90-nm-Technologie wurde gemeinsam mit der Nanya Technology Corporation (NTC) im Dresdner Forschungszentrum von Infineon entwickelt.

Infineon geht als weltweit zweiter DRAM-Hersteller mit 90-nm-Technologie in Serienproduktion und hatte bereits Ende Mai 2005 etwa fünf Prozent der gesamten DRAM-Kapazitäten von 110 nm auf 90 nm umgestellt. Samsung setzt seit September 2004 auf 90 nm bei der Speicherfertigung.

Die kleineren Chipstrukturen mit 90 nm erhöhen die Anzahl der Chips pro Wafer im Vergleich zur 110-nm-Technologie um mehr als 30 Prozent. Die Produktivitätssteigerung durch die kleineren Chipstrukturen und der Einsatz von 300-mm-Wafern führen zu einer wesentlichen Verringerung der Produktionskosten pro Chip. Die strategische Entwicklungspartnerschaft von Infineon und Nanya umfasst auch den nächsten Technologieschritt mit 70-nm-Strukturen.

Für den Anfang wird Infineon 512-Mbit-Chips (DDR DRAM) in 90 nm ausliefern. Das Produkt-Portfolio soll in der zweiten Jahreshälfte 2005 um DDR2-DRAM mit 512 Mbit erweitert werden. Weitere Produkte, darunter auch 256-Mbit-DDR2- und 1-Gbit-DDR2-Speicher, sind ebenfalls geplant.